【環(huán)球網(wǎng)財(cái)經(jīng)綜合報(bào)道】全球芯片設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具龍頭新思科技（Synopsys）首席執(zhí)行官蓋思新（Sassine Ghazi）近日發(fā)出警示，由人工智能基礎(chǔ)設(shè)施熱潮引發(fā)的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)緊張與價(jià)格上漲，可能會(huì)持續(xù)到2027年。這一判斷加劇了市場(chǎng)對(duì)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)性失衡的擔(dān)憂(yōu)。
蓋思新在接受采訪(fǎng)時(shí)指出，當(dāng)前存儲(chǔ)芯片的緊張局面預(yù)計(jì)將持續(xù)到2026年甚至2027年。其核心原因在于，頭部制造商生產(chǎn)的大部分內(nèi)存芯片“幾乎全部流向AI基礎(chǔ)設(shè)施”，導(dǎo)致智能手機(jī)、個(gè)人電腦、汽車(chē)乃至消費(fèi)電子等其他市場(chǎng)需求受到嚴(yán)重?cái)D壓，因?yàn)橐褯](méi)有多余產(chǎn)能可供分配。
這場(chǎng)短缺的核心驅(qū)動(dòng)力是AI服務(wù)器對(duì)高性能存儲(chǔ)的龐大需求，尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。HBM通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)將多塊DRAM芯片垂直堆疊，能提供遠(yuǎn)超傳統(tǒng)內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速率，是訓(xùn)練和運(yùn)行大模型的必需組件。然而，生產(chǎn)HBM消耗的晶圓產(chǎn)能遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)DRAM。行業(yè)分析指出，HBM每比特容量所消耗的晶圓產(chǎn)能約為傳統(tǒng)DRAM的3倍。為滿(mǎn)足像英偉達(dá)這樣巨頭的訂單，三星、SK海力士和美光三大存儲(chǔ)巨頭將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM，直接導(dǎo)致標(biāo)準(zhǔn)DRAM和NAND閃存的出貨量被“吞噬”。
盡管主要存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商正在計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)能，但蓋思新強(qiáng)調(diào)，從投資到生產(chǎn)線(xiàn)真正投產(chǎn)，至少需要“兩年時(shí)間”，這決定了緊缺格局在短期內(nèi)難以緩解。券商研究也佐證了這一觀點(diǎn)，新增產(chǎn)能主要集中在2027年及以后釋放，2026年行業(yè)將呈現(xiàn)需求快速增長(zhǎng)而供給釋放滯后的結(jié)構(gòu)性錯(cuò)配。
持續(xù)的供應(yīng)緊張正推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格強(qiáng)勁上漲，一些分析將此輪行情稱(chēng)為“超級(jí)周期”。研究機(jī)構(gòu)Counterpoint預(yù)測(cè)，存儲(chǔ)價(jià)格在2025年第四季度至2026年第二季度間可能經(jīng)歷多輪顯著上漲。這對(duì)于下游終端廠(chǎng)商意味著成本壓力陡增。有分析指出，在高端智能手機(jī)中，存儲(chǔ)部分的成本可能已占到整機(jī)物料清單（BOM）的20%甚至更多。聯(lián)想首席財(cái)務(wù)官也曾表示，入門(mén)級(jí)設(shè)備將率先感受到成本上升的壓力。（陳十一）
蓋思新的言論并非孤例。就在兩周前，美光科技全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁Manish Bhatia也表達(dá)了類(lèi)似觀點(diǎn)，認(rèn)為由于AI對(duì)高端半導(dǎo)體需求激增，存儲(chǔ)芯片的緊缺狀況將持續(xù)到2026年之后。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint的分析師甚至形容，“跟蹤內(nèi)存行業(yè)近20年了，這次真的不同……這真的是有史以來(lái)最瘋狂的時(shí)期。”
從歷史來(lái)看，內(nèi)存芯片行業(yè)以其強(qiáng)烈的周期性波動(dòng)著稱(chēng)，在短缺與過(guò)剩之間循環(huán)。但本次由AI引發(fā)的需求被普遍認(rèn)為具有“結(jié)構(gòu)性”和“持久性”特征，正在重塑行業(yè)的增長(zhǎng)邏輯。正如蓋思新所言，“現(xiàn)在對(duì)存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，是一個(gè)黃金時(shí)代?！比欢?，這個(gè)“黃金時(shí)代”對(duì)全球電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈帶來(lái)的挑戰(zhàn)，才剛剛開(kāi)始顯現(xiàn).
